1 источник ЭДС:
\(R_э = R_{пар} + R_1=\)
+
\( = \)
\(U_{ab} = I_1 * R_{пар}=\)
*
\( = \)
2 источник ЭДС:
\(R_э = R_{пар} + R_2=\)
+
\( = \)
\(U_{ab} = I_2 * R_{пар}=\)
*
\( = \)
3 источник ЭДС:
\(R_э = R_{пар} + R_3=\)
+
\( = \)
\(U_{ab} = I_3 * R_{пар}=\)
*
\( = \)
4 источник ЭДС:
\(R_э = R_{пар} + R_4=\)
+
\( = \)
\(U_{ab} = I_4 * R_{пар}=\)
*
\( = \)
РЕЗУЛЬТАТ
\(I_1 = I_1^| \pm I_1^{||} \pm I_1^{|||} \pm I_1^{||||}=\)
\(I_2 = I_2^| \pm I_2^{||} \pm I_2^{|||} \pm I_2^{||||}=\)
\(I_3 = I_3^| \pm I_3^{||} \pm I_3^{|||} \pm I_3^{||||}=\)
\(I_4 = I_4^| \pm I_4^{||} \pm I_4^{|||} \pm I_4^{||||}=\)
Порядок действий метода наложения (МН):
- Сворачиваем схему так, чтобы каждая ветвь содержала один резистор сопротивлением R1, R2 и тд и один
источник ЭДС с собственным сопротивлением r01, r02 и тд. Если в ветке несколько источников ЭДС, то
их внутренние сопротивления складываются, при этом если они сонаправлены, то ЭДС складываются, а
если разнонаправлены, то ЭДС вычитаются.
- Сначала мысленно убираем из схемы все источники ЭДС, кроме первого.
- Ветви (если их больше одной), кроме той, в которой мы оставили источник ЭДС, параллелим 1/Rпар =
1/(R1+r01)+1/(R2+r02) …
- Находим эквивалентное сопротивление Rэкв = Rпар +R1.
- Находим ток в ветви с ЭДС: I1 = E1/(Rэкв + r01).
- Напряжение U = I1 * Rпар.
- Токи в ветвях без ЭДС:
I2 = U/R2
I3 = U/R3.
- Повторяем шаги 1-6 для каждой ветви с источником ЭДС.
- Находим реальные токи в каждой ветви: складываем все токи, найденные для каждой конкретной ветви.
Причем для каждого слагаемого ставим знак + или – в зависимости от того, был ли он (при его
вычислении, когда оставили один источник ЭДС) направлен также, как в исходной схеме (+) или
противоположно (-).
- Проверяем: наибольший ток должен быть равен по модулю сумме наименьших.